MiPLATO-SiC 碳化硅晶圆缺陷检测系统是针对 SiC 晶圆优化的 PL 扫描成像系统。

该系统利用螺旋扫描技术，可在短时间内获取整片晶圆的光致发光信息，从而实现缺陷密度、载流子寿命及膜厚变化的同步测量。其深度学习功能可进行自动缺陷分类，实现先进的缺陷类型识别与评估。在光谱扫描成像过程中，自动导航功能可通过 PL 光谱坐标、DIC 图像、平台坐标等数据实现缺陷位置的识别与自动追踪。并且，该系统还能够检测并分析晶圆上的微小缺陷。

产品特点

• 使用 355 nm 激光同时进行 3 通道光致发光和1通道微分干涉相衬显微成像（DIC）测量

• 基于深度学习的缺陷分析

• 微分干涉相衬显微成像（DIC）表面检测

  – 355 nm 激发的反射式微分干涉相衬显微成像（DIC）

  – 胡萝卜状、划痕、水滴状、3-C 三角形缺陷

• 带边 PL 检测方法，额外提供 2 种数据供用户参考

  – BPD、肖克利堆垛层错、条状堆垛层错

• 结合光谱仪进行光致发光光谱成像

  – 全晶圆扫描成像

  – 对成像数据中指定区域进行光谱分析

• 自动导航功能

  – 基于 PMT 成像，光谱测量和图像处理结果的自动缺陷检测

  – 通过光谱分析实现精确的堆垛层错分类

光路配置

• 配备 1800 RPM（**转速）旋转平台的螺旋扫描

  – 单探头型&双探头型（开发中）

• 配备 50 倍物镜的微区 PL

  – 光斑尺寸 2μm

• 多探测器 :

  – 默认配置：反射式 DIC、带边 PL、光谱仪

额外两个可定制 PL 探测器

衬底和外延晶圆的 Macro 扫描成像可用于 QC

  – 机器与机器间

  – 晶棒与晶棒间

  – 同批晶棒的晶圆与晶圆间

  – 晶圆均匀性

     > 5 分钟/ 6“，3 mm 步进

光谱采集过程的屏幕截图  

   1. PMT 扫描成像结果

   2. 待测 SF 的裁剪图像

   3. SF 的光谱数据

   4. 光谱中 SF 的详细信息

   5. 已分类 SF 的报告

产品配置